STMicroelectronics, l’un des leaders mondiaux des semi-conducteurs dans le domaine de l’électronique, et le Leti, un institut de recherche du CEA Tech, annoncent aujourd’hui leur coopération pour industrialiser les technologies GaN (nitrure de gallium) sur silicium pour les dispositifs de commutation de puissance. Cette technologie de puissance GaN-on-Si permettra à STMicroelectronics d’adresser des applications à haut rendement et à haute puissance, y compris les chargeurs embarqués automobiles pour véhicules hybrides et électriques, la charge sans fil et les serveurs.

Voir l’article « STMicroelectronics and Leti Develop GaN-on-Silicon Technology for Power Conversion Applications »Voir l’article : « STMicro and Leti develop GaN-on-Silicon technology for power conversion applications »