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Electronique de puissance : le silicium concurrencé par le nitrure de gallium

Tranches de GaN 200 mm de diamètre produit par le CEA-Leti © CEA/LETI
Tranches de GaN 200 mm de diamètre produit par le CEA-Leti © CEA/LETI

L’équipe Electronique de Puissance du Laboratoire L2EP (Lille) travaille sur ces nouveaux composants à semi-conducteur grand gap. Une thèse est en cours depuis septembre 2011.

Ces composants devraient arriver rapidement sur le marché.

Tout ceci s’inscrit dans le programme MeGaN, piloté par Renault. Le CEA et 13 partenaires académiques et industriels participe à celui-ci. En développant des composants d’électronique de puissance à base de nitrure de gallium (GaN), ce projet lancé en juillet 2012 et doté d’un budget de 44 millions d’euros permettrait une alternative au silicium pour de nombreuses applications (transistors, diodes, convertisseurs…).

Industrie & Technologies nous en parle à travers un article à découvrir ici.

 

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